Samsung MZ-VAP4T0CW *
Kapacitás: 4 TB *
Interfész: PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 *
Forma: M.2 (2280) *
Méretek: 80,15 x 25 x 8,88 mm (hűtőbordával) *
Tömeg: legfeljebb 30 g *
NAND flash memória: Samsung V-NAND TLC (236 réteg) *
Kontroller: Samsung saját fejlesztésű (5 nm) *
DRAM cache memória: 4 GB LPDDR4X *
Szekvenciális olvasási sebesség: legfeljebb 14 800 MB/s *
Szekvenciális írási sebesség: legfeljebb 13 400 MB/s *
Véletlenszerű olvasás (4KB, QD32): legfeljebb 2 200 000 IOPS *
Véletlenszerű írás (4KB, QD32): legfeljebb 2 600 000 IOPS *
Átlagos energiafogyasztás (olvasás/írás): 9,0 W / 8,2 W *
Energiafogyasztás (készenléti állapot): legfeljebb 6,5 mW *
L1.2 mód fogyasztás: legfeljebb 5,7 mW *
Üzemi hőmérséklet: 0°C - 70°C *
Nem üzemi hőmérséklet: -40°C - 85°C *
Ütésállóság: 1 500 G, 0,5 ms (fél szinusz hullám) *
MTBF (átlagos meghibásodásmentes idő): 1,5 millió óra *
TBW (írási terhelhetőség): 2 400 TB *
Titkosítás: AES 256-bit, TCG/Opal 2.0, IEEE1667 *
Támogatott funkciók: TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard *
Szoftver: Samsung Magician *
RoHS megfelelőség: Igen *
Kompatibilitás: PCIe 5.0 rendszerekkel és PlayStation 5-tel
